EDICON CHINA 2024 （電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)）于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行，暌違三年有余，作為無(wú)線通信行業(yè)工程師的專(zhuān)業(yè)交流平臺(tái)，大會(huì)再次召集了射頻、微波以及無(wú)線設(shè)計(jì)行業(yè)領(lǐng)域的精英企業(yè)，針對(duì)當(dāng)下的通信、消費(fèi)和航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用展開(kāi)討論和技術(shù)分享。三安集成作為化合物射頻前端器件的整合服務(wù)商，應(yīng)邀參與大會(huì)，并在技術(shù)報(bào)告會(huì)中做出分享。

　　三安集成應(yīng)邀參與EDICON 2024，并在技術(shù)報(bào)告會(huì)中做出分享

　　隨著5G演進(jìn)到Rel. 18及更高，推動(dòng)著射頻前端迭代到最新的Phase 8架構(gòu)，集成度進(jìn)一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件制造工藝正是針對(duì)市場(chǎng)主流的模組化趨勢(shì)，能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅艿慕鉀Q方案。
　　射頻前端PA器件功放管主要采用砷化鎵HBT工藝，追求在高頻工況下，具備高線性度、穩(wěn)定性和放大效率。三安集成通過(guò)在外延材料及工藝端的改善，發(fā)展的HP1/HP2工藝，對(duì)比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明顯的改善，能夠滿足在復(fù)雜工況下的信號(hào)輸出穩(wěn)定需求。同時(shí)，配合新一代的銅柱工藝，實(shí)現(xiàn)晶圓的輕薄化和良好散熱特性，減小模組尺寸，縮減成本、提升整體系統(tǒng)性能。
　　三安集成砷化鎵研發(fā)部部長(zhǎng)郭佳衢在報(bào)告中提道，三安集成的砷化鎵HBT工藝已經(jīng)覆蓋了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等無(wú)線通信應(yīng)用，并向著更高頻率的應(yīng)用投入研發(fā)資源。
　　砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系，目前已進(jìn)展到0.1um的工藝節(jié)點(diǎn)，可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)良好的信號(hào)強(qiáng)度和低噪聲系數(shù)。成熟的P25工藝型譜則廣泛應(yīng)用于接收模組和中高功率的手機(jī)和基站，新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3系數(shù)有明顯改善，顯現(xiàn)出出色的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
　　“三安集成具備豐富的大規(guī)模制造經(jīng)驗(yàn)，秉持‘客戶至上’的精神，為客戶和市場(chǎng)提供更高質(zhì)量的制造服務(wù)，幫助客戶實(shí)現(xiàn)商業(yè)成功，共同促進(jìn)無(wú)線通信行業(yè)的發(fā)展繁榮?！惫厌椴块L(zhǎng)補(bǔ)充道。